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主要型(xíng)號:
型號 | 功率(W) | 工作電(diàn)壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風(fēng)冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要(yào)特點:
A 可選擇三角波、矩形波、正弦波(bō)三種波(bō)形,波形的蕞高值(zhí)和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓範(fàn)圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三(sān)角波、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇(zé)手動控製/模擬量(liàng)接口控製(zhì),可選配RS485通訊(xùn)接口。
采用先進的(de)PWM脈寬調(diào)製技術,使用進口(kǒu)IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重(chóng)量輕、功能全(quán)、性能(néng)穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具有抑(yì)製靶材弧光放電及抗短(duǎn)路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩(wěn)定性,又提(tí)高了靶麵清洗速度;
主要參數均(jun1)可大範圍連續調節;
方便維(wéi)護,可靠性高;
PLC接(jiē)口和RS485接口擴(kuò)展功能,方便(biàn)實現(xiàn)自動化控製。
主要用途:
MS係列勵(lì)磁多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多弧靶(bǎ)外圍磁(cí)場線圈,產生周期性可變磁磁場(chǎng),使(shǐ)多弧輝光由原來的集中放電變為均勻放電,提高工件膜層質(zhì)量

現(xiàn)在工業區,在範圍上擴展的是越來越廣,跟隨我們行業的發展,現在機械設備研發的(de)是越來越多(duō),當然啦,研發那(nà)麽多,在一些加工廠家(jiā)肯定是要應用到的啦,在(zài)範圍上,在數量上都不會少(shǎo),現在我們來了解下真(zhēn)空鍍膜電源這項項目吧!

1、在光學儀器中:人們熟悉的光學儀器有望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日(rì)常(cháng)生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等(děng),它們都離不開鍍膜技(jì)術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸(xī)收膜等幾種。
2、在信息存儲領域(yù)中:薄膜材料作為信息記錄於存儲介質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉極(jí)為迅速;與(yǔ)膜麵平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用(yòng)鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感器中,多采用那些電氣(qì)性質相對於物理量、化學量及其變化來說,極為敏感的半導體材(cái)料。此外(wài),其中,大多數利用的是半(bàn)導體的表麵、界麵(miàn)的性質,需要盡量增大其麵積,且能(néng)工業化、低價格製作,因此,采用薄膜的情況(kuàng)很多。
4、在(zài)集成電路製造中:晶體管路中的(de)保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金(jīn))等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空(kōng)蒸發金屬技術、磁(cí)控濺射(shè)技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積(jī)是(shì)製(zhì)備集成電路的核心技術之(zhī)一。
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